Die Methode Spreading Resistance Profiling ist dazu geeignet elektrische Widerstandsprofile in Silizium zu messen. Mittels dieser Messungen lassen sich Dotierungsprofile der elektrisch aktiven Ladungsträger errechnen. Vergleichend dazu ist die Messung der physikalisch/chemischen Dotierung mittels SIMS möglich.
Beim SRP wird die Siliziumprobe schräg zur Oberfläche angeschliffen und über den Schleifwinkel ein definiertes Profil über die Tiefe erzeugt. Anschließend wird dieser Schliff mittels eines Schrittprobers elektrisch charakterisiert und so das Tiefenprofil generiert.
Wir führen SRP-Schliffe und Messungen unterschiedlicher Tiefen an jeglicher Art von Siliziumproben durch. Zurzeit beschäftigen wir uns mit einem Projekt zur Charakterisierung von SiC. Die Messung von Verbindungshalbleitern ist gegenwärtig nicht möglich.
SGS INSTITUT FRESENIUS GmbH
Königsbrücker Landstr. 161
01109 Dresden
t +49 351 8841-200
Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein!