Spreading Resistance Profiling (SRP)

Die Methode Spreading Resistance Profiling ist dazu geeignet elektrische Widerstandsprofile in Silizium zu messen. Mittels dieser Messungen lassen sich Dotierungsprofile der elektrisch aktiven Ladungsträger errechnen. Vergleichend dazu ist die Messung der physikalisch/chemischen Dotierung mittels SIMS möglich.

Beim SRP wird die Siliziumprobe schräg zur Oberfläche angeschliffen und über den Schleifwinkel ein definiertes Profil über die Tiefe erzeugt. Anschließend wird dieser Schliff mittels eines Schrittprobers elektrisch charakterisiert und so das Tiefenprofil generiert.

Wir führen SRP-Schliffe und Messungen unterschiedlicher Tiefen an jeglicher Art von Siliziumproben durch. Zurzeit beschäftigen wir uns mit einem Projekt zur Charakterisierung von SiC. Die Messung von Verbindungshalbleitern ist gegenwärtig nicht möglich.

Unsere Leistungen

  • Schrägschliffpräparation an flächigen Substraten und geeigneten Strukturen
  • Messung elektrischer Widerstandsprofile über unterschiedliche Dicken
    • Oberflächennah (wenige µm) bis ganzer Waferquerschnitt (definiert durch Schliffwinkel)
    • Extreme Dünnschichten (ultra-shallow) auf besondere Anfrage
  • Notwendige Vorpräparationen (Rückschliffe, nasschemisches Entfernen von Deckschichten, Zerteilen/Brechen von Proben)

Anwendungen

  • Elektrisch aktive Dotierungsprofile von Substraten oder aktiven und passiven Elementen
  • Vergleich mit chemisch/physikalischen SIMS-Profilen

Probenanforderungen

  • Silizium, keine Messung von Verbindungshalbleitern
  • Messung an Strukturen, hierfür sind Mindeststrukturgrößen einzuhalten ca. 100 µm x 400 µm (Abhängig von Spitzenabstand und Analysetiefe, bedingt durch den Schrägschliff)
  • Probe wird durch den Schliff zerstört

Ihr Ansprechpartner

SGS INSTITUT FRESENIUS GmbH
Königsbrücker Landstr. 161
01109 Dresden

t +49 351 8841-200
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