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Die Dotiertechnik ist ein wichtiger Prozesskomplex in der Halbleitertechnologie. Eine exakte Messung der stofflich vorhandenen und elektrisch aktiven Dotierungsprofile ist notwendig für Technologieentwicklung, Kontrolle von Prozessen, Überprüfung von Simulationsergebnissen und Fehleranalyse.
Das SGS INSTITUT FRESENIUS verfügt dazu über zwei, seit Jahrzehnten bewährte, leistungsfähige Methoden. Sowohl die für die Messung von Elementtiefenprofilen geeignete Sekundärionenmassenspektrometrie als auch die für die Messung der elektrisch aktiven Ladungsträgerverteilung prädestinierte SRP-Technik verfügen über eine hohe Empfindlichkeit und eine große Dynamik des Meßsignals. Beide Methoden ergänzen sich vorzüglich in ihren Anwendungen.
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Unsere Leistungen:
Tiefenprofilanalyse von Dotierstoffen und Verunreinigungen mittels:
- Sekundärionenmassenspektrometrie (SIMS, TOF-SIMS)
Messung von elektrisch aktiven Ladungsträgerprofilen mittels
Spreading Resistance Profiling (SRP):
- Ermittlung von Dotierungsprofilen, Verläufen des spezifischen Widerstandes und der Ladungsträgerdichte sowie der Lage von p-n Übergängen
- Technologierelevante Bewertung der Ergebnisse
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SGS INSTITUT FRESENIUS GmbH
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